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离子研磨仪 IM4000II

离子研磨仪 IM4000II

  • 所属分类:外围仪器
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2023-02-03 22:37:12
  • 特点
  • 规格
  • 选项
  • 功能
  • 观察示例

高效率的截面研磨

IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出截面样品。

  • *1

  • 在加速电压6 kV下,将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度

微信图片_20230203220403.png    样品:Si片(2 mm厚)
                                                                              加速电压:6.0 kV
                                                                              摆动角度:±30°
                                                                              研磨时间:1小时

截面研磨时如果摆动的角度发生变化,加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外,其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后,可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说,能够对样品进行更快速的截面研磨。

微信图片_20230203220407.png样品:Si片(2 mm厚)
                                                                    加速电压:6.0 kV
                                                                    摆动角度:±15°
                                                                    研磨时间:1小时

复合型研磨仪

截面研磨

  • 即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料,也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面

  • 优化加工条件,降低因离子束所致样品的损伤

  • 可装载20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品

截面研磨的主要用途

  • 金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备

  • 含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备

  • 多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理






平面研磨

  • 直径约为5mm范围内的均匀加工

  • 应用领域广泛

  • 可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品

  • 可选择旋转和摆动(±60度,±90度的摆动)2种加工方法

平面研磨的主要用途

  • 去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变

  • 去除样品表层部分

  • 消除因FIB加工所致的损伤层

微信图片_20230203220417.jpg

微信图片_20230203220414.jpg

  • *1 将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。

选配项

微信图片_20230203223454.png

  • *2 需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时,部分功能可能使用有限。


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